Inicio Sociedad México tendrá su primer Centro Nacional de Diseño de Semiconductores

México tendrá su primer Centro Nacional de Diseño de Semiconductores

13
0
Compartir
  • La presidenta Claudia Sheinbaum dijo que el proyecto Kutsari impulsará la producción de semiconductores en el país; para 2027 se consolidará en la industria automotriz, médica y electrónica, afirma

REDACCIÓN /

Ciudad de México, 06 de febrero de 2025. La presidenta de México, Claudia Sheinbaum Pardo, anunció la creación del Centro Nacional de Diseño de Semiconductores “Kutsari”, como parte del Plan México para posicionar al país como una potencia científica y tecnológica. Este centro permitirá a científicos mexicanos desarrollar diseños de semiconductores protegidos bajo estándares internacionales, a partir de modificaciones a la Ley Federal de Protección a la Propiedad Industrial (LFPPI).

“El Centro de Diseño de Semiconductores Kutsari o Proyecto Kutsari: Centro Nacional de Diseño de Semiconductores, es la unión de muchos científicos, desarrolladores tecnológicos, de instituciones públicas de educación superior, que van a poner toda su inteligencia, diseño, creatividad, para generar nuevos diseños de semiconductores”, explicó la mandataria.

El plan contempla acelerar el proceso de patentes, reduciendo los tiempos actuales y facilitando la comercialización de las innovaciones tecnológicas. “Vamos a acelerar todo el proceso de patentes para que puedan venderse, combinarse con la empresa pública, con la empresa privada, para el desarrollo; que no solamente se quede en el diseño, que ya sería suficiente, porque entonces está patentado por una institución de educación superior y sus investigadores”, señaló Sheinbaum.

El Centro Nacional de Diseño de Semiconductores tendrá sedes en Puebla, Jalisco y Sonora, coordinado por el Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica (INAOE) y el Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional (CINVESTAV), con la participación de la Universidad Nacional Autónoma de México (UNAM) y el Instituto Politécnico Nacional (IPN).

“Es algo muy bueno para el país. Ya hay mucha investigación en México, ahora lo que estamos haciendo es poner todas estas mentes juntas”, afirmó la presidenta.

La secretaria de Ciencia, Humanidades, Tecnología e Innovación, Rosaura Ruiz Gutiérrez, explicó que el proyecto abarcará la creación de un marco legal que fortalezca la transferencia de tecnología, el desarrollo de ecosistemas de proveeduría y la producción de semiconductores en el país.

El director general de Innovación Bienestar de México, Edmundo Gutiérrez Domínguez, destacó que la estrategia nacional contempla tres eslabones: el diseño, la fabricación y el ensamblaje de chips. Se espera que para 2027 el Centro Kutsari tenga impacto en sectores como el automotriz, electrodomésticos y equipos médicos.

Además, se pondrá en marcha un Programa de Capacitación Acelerada de diseñadores para consolidar la industria. Hacia 2026 se definirá el modelo de fabricación, con miras a establecer una planta en 2029 y garantizar para 2030 los tres eslabones de la cadena de proveeduría de semiconductores.

Para respaldar estas innovaciones, la secretaria de Anticorrupción y Buen Gobierno, Raquel Buenrostro Sánchez, informó que se modificará la LFPPI para homologarla a estándares internacionales, ofreciendo a los científicos un derecho de apartado por 12 meses y reduciendo el tiempo de registro de patentes de más de cuatro a tres años.

El director general del Instituto Mexicano de Propiedad Industrial (IMPI), Santiago Nieto Castillo, agregó que se plantea otorgar una patente provisional para garantizar la exclusividad de la innovación a nivel global y proteger a los desarrolladores mexicanos contra plagios.

En el evento estuvieron presentes autoridades del CINVESTAV, INAOE, la UNAM, el IPN, así como representantes de los gobiernos de Puebla, Jalisco y Sonora, quienes respaldaron la iniciativa como un paso clave para la soberanía tecnológica del país.

Compartir:

Dejar una respuesta

Please enter your comment!
Please enter your name here